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...公报、日本特开2002-363227号公报、日本特开2002-231453号公报、日本特开2003-3165号公报、日本特开2002-234888号公报、日本特开2003-27048...[089引[化学式77].
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技术领域
本发明涉及透光性电极及使用了该透光性电极的电子器件。
背景技术
利用了有机材料的电致发光(electroluminescence:以下记为EL)的有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)、有机光电转换元件等的电子器件,具有在2片电极间夹持了有机材料层、光电转换层的构成。在有机EL元件中,将在有机材料层(发光层)中产生的发光透过电极取出到外部。另外,在有机光电转换元件中,来自外部的光透过电极而进入光电转换层。因此,在这些电子器件中,需要2个电极中的至少一方通过透光性电极而构成。
另一方面,作为薄型·轻量的有机EL元件的形态,已知固体密封(例如,参见专利文献1、专利文献2)。在固体密封中具有加压·加热工艺,因此,电极的凹凸影响对泄漏特性影响大。因此,需要特别平滑的透光性电极。
针对这样的要求,公开有在挠性基材上使用ITO电极、进而用研磨带得到平滑的电极表面的技术(例如,参见专利文献3)。但是,在该方法中,利用研磨带的平滑化工序复杂,生产率成为课题。另外,挠性基材上的ITO,因制膜条件的限制,作为电极的特性不充分。
作为改良电极的特性的手段,公开有将薄Ag层使用于电极的技术(例如,参见专利文献4)。Ag层与ITO相比低温形成,且阳极特性优异,但膜厚为30nm以下这样薄,且Ag为柔软的金属,因此,容易受固体密封时的加压·加热影响,在电极的平滑性的维持上存在课题。
针对这样的课题,已知有作为平滑的电极基底层使挠性基材上的阻隔表面平滑的技术(例如,参见专利文献5)。在专利文献5中公开有通过形成蒸镀阻隔膜时的CVD条件而将表面平滑化的技术。但是,用该方法这样的CVD法所形成了的层,在CVD法的原理上平滑性不充分,受固体密封时的加压·加热影响大而泄漏特性恶化。这样,在CVD法等的蒸镀方式中通过堆积物而进行膜形成,因此,难以得到满足能耐薄Ag电极的固体密封工艺的平滑性的条件。
另一方面,公开有通过有机·无机混杂聚合物使阻隔表面平滑的技术(例如,参见专利文献6)。...
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